机械测试
| 设备图片 | 测试项目 | 测试目的 | 测试标准 | 测试能力 |
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振动测试 Vibration |
验证机械结构的牢固性和电气连接的稳定性。模拟器件在应用过程中的振动负载，并验证了器件在出现故障模式(如结构脱落和材料疲劳)时的抗振动能力。 | IEC 60068 2-6 |
频率范围: 1~3500Hz 最大加速度: 981m/s 可测试X、Y、Z 三个方向 |
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机械冲击测试 Shock |
验证机械结构的整体性和电气连接的稳定性 | IEC 60068 2-27 |
加速度范围：0~15000m/s2 脉宽:0.5~20ms 可测试XYZ三个方向 |
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端子强度测试 Terminal Strength |
评估产品端子是否有足够的机械强度 | 外观无破损、PIN针无脱落 |
温度范围: -40~200°C 拉力范围: 0~960N.m
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安装强度 Mounting Strength |
评估产品在固定力矩下的可靠性 | 外壳完整度、 无破裂 |
扭力范围: 0.2~20N.m
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锡焊性试验 Solderability |
评估产品的可焊性 | GB/T 2423.28 |
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焊接耐热性 Resistance to Solder Heat |
评估产品PIN针的耐热性 | GB/T 2423.28 |
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环境测试
| 设备图片 | 测试项目 | 测试目的 | 测试标准 | 测试能力 |
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高温存储试验 HTS |
评价产品在高温条件下的可靠性及电性性能 | IEC 60749-6 | 温度范围: 60~300°C |
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低温存储测试 LTS |
评价产品在低温条件下的可靠性及电性性能 | JESD22-A119 |
温度范围: -70~150°C 湿度范围: 20~98%RH |
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高加速老化测试 HAST |
评估产品在环境应力与工作应力条件下的产品寿命及电性性能 | IEC 60068-2-66 |
温度范围: 105~1429°C
湿度范围: 75~100%RH 压力范围: 0.02~0.196MPa |
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温湿度储存测试 THS |
评价产品在恒温恒湿条件下的可靠性及电性性能 | IEC 60068-2-67 |
温度范围: -20 ~ 180°C 湿度范围: 10 ~ 98% RH |
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温度循环试验 TCT |
用于模拟外界温度变化对产品的影响,验证器件或模块的整体结构和材料 | IEC 60749-25 |
温度范围:-70 ~ 180°C
温度变换速率: 26°C/min |
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温度冲击测试 TST |
验证IGBT在被动温度变化的情况下对机械应力的抵抗能力 | IEC60068-2-14 |
高温温度范围: 60 ~ 205°C
低温温度范围: -77 ~ 0°C 温度转换阶段时间:10s |
耐力测试
| 设备图片 | 测试项目 | 测试目的 | 测试标准 | 测试能力 |
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高温反偏老化试验 HTRB |
主要用于验证长期稳定情况下芯片的漏电流,考验对象是IGBT边缘结构和钝化层的弱点或退化效应。 | IEC 60749-9 |
度范围: 20 ~ 200°C
电压范围: 0-2000V |
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高温栅反偏老化试验 HTGB |
主要用于验证栅极漏电流的稳定性,考验对象是IGBT栅极氧化层。 | IEC 60749-9 |
温度范围: 20 ~ 200°C
电压范围: 0 ~ 30V |
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高温高湿反偏老化试验 H3TRB |
又名双85测试,主要用于测试湿度对功率器件长期特性的影响。 | IEC 60749-9 |
温度范围: 20 ~ 100°C
湿度范围: 25 ~ 98% RH 电压范围: 0 ~ 2000V |
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功率循环测试(分钟级) Pc/min |
测试样品通过流过年半导体的电流进行主动加热至最高目标温度,然后关断电流，样品主动冷却到最低温度。此项测试的焦点主要是验证键合线与芯片,芯片到DCB之间连接的老化。 | IEC 60749-34 |
设备输出: 四通道
单通道最大电流600A 最大可输出电流2400A |
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功率循环测试(秒级) PC /sec |
测试样品通过流过半导体的电流进行主动加热至最高目标温度,然后关断电流,样品主动冷却到最低温度。循环时间相对较短，大约为几秒钟。此项测试的焦点主要是验证键合线与芯片，芯片到DCB之间连接的老化。 | IEC 60749-34 |
设备输出: 三通道
单通道最大电流600A 最大可输出电流1800A |
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